国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目中期检查会议顺利召开

作者:发布时间:2020-12-01

2020年11月4日,由华东师范大学牵头的科技部国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项《超短脉冲激光隐形切割系统及应用》项目(以下简称项目)中期检查会议在深圳大族激光科技产业集团股份有限公司顺利召开。科技部高技术研究发展中心材料处专项主管杨斌处长、项目责任专家北京工业大学徐晨教授、同行专家西南技术物理研究所余丽波研究员、山东浪潮华光光电子股份有限公司张成山研究员、华南理工大学杨中民教授、中科院半导体研究所苏小虎研究员、项目负责人华东师范大学曾和平教授、课题负责人电子科技大学于军胜教授、大族激光科技产业集团股份有限公司夏瑞雪博士、京东方科技集团股份有限公司刘陆博士及研究骨干等30余人参加了会议。华东师范大学科技处张桂戌处长、杨艳琴副处长出席会议。

 

项目中期检查会议/与会者合影

 

项目研究了超短脉冲激光与半导体晶片的作用机理,突破了自稳定超短脉冲激光光源产生、放大、操控多项关键技术;实现了超短脉冲激光光束精细整形控制及2个焦点可调;完成了2台激光划片设备,并对硅、碳化硅材料进行工艺测试;完成了柔性OLED显示器件激光划片系统的软硬件开发,实现了面板超窄边框和异形切割系统的技术开发,完成了激光柔性OLED显示面板切割装备的方案设计。项目取得阶段性进展,成功研制出红外皮秒激光器、激光隐形切割机,并集成柔性OLED显示面板切割样机。其中,紫外皮秒激光器在华东师范大学重庆研究院研制完成,并将在研究院实现进一步产业化。这对国家半导体晶片制造产业发展具有积极作用,有利于半导体晶片制造技术的更新换代。

 

会上,杨斌处长介绍了中期检查工作的总体要求,指出中期检查应准确把握专项项目实施情况,对项目能否完成预定任务目标作出预判,对发现的重要阶段性进展强化推进,对发现问题的项目加强督导,确保专项总体目标实现。中期检查会议由专家组长主持,各项目负责人围绕项目执行进展、代表性成果、组织实施及经费使用情况等进行了详细汇报。与会专家对项目的管理成效、阶段性研究进展及应用示范工作给予了充分肯定,对项目下一步的工作要点及方向提出建设性意见和建议。

 

此次会议有效检验了“战略性先进电子材料”重点专项《超短脉冲激光隐形切割系统及应用》项目的执行情况,梳理项目已达成的重要进展,及时发现项目研究的不足,明确项目下一阶段研究计划及工作重点,将促进项目取得更多科研成果,探索建立以市场为导向的创新成果转化模式,加快推进自主创新成果产业化,提高我国半导体晶片产业核心竞争力,促进高新技术产业的发展,为建设现代化经济体系提供战略支撑。